芯片行業(yè)周刊：產(chǎn)業(yè)上下游動態(tài)頻繁，國內(nèi)加速探索人才培養(yǎng)新機制

【重點事件】上海集成電路行業(yè)產(chǎn)教融合就業(yè)育人聯(lián)盟在上海大學成立

5月21日，上海集成電路行業(yè)產(chǎn)教融合就業(yè)育人聯(lián)盟（以下簡稱“就業(yè)育人聯(lián)盟”）在上海大學成立。就業(yè)育人聯(lián)盟由上海大學發(fā)起，聯(lián)合上海和長三角地區(qū)的高校，以及來自清華、北大、中科大、西電等全國頂尖的集成電路學院、微電子領域首批國家級現(xiàn)代產(chǎn)業(yè)學院、科研機構(gòu)、集成電路行業(yè)企業(yè)等自愿組成，旨在產(chǎn)教融合培養(yǎng)集成電路行業(yè)緊缺人才的聯(lián)盟組織。

點評：芯片產(chǎn)品的設計制造涉及物理、化學、材料、化工等多個學科，行業(yè)技術(shù)門檻極高。因此，芯片從設計到生產(chǎn)的各個環(huán)節(jié)均需要高端人才跟進。以芯片研發(fā)為例，據(jù)了解，該環(huán)節(jié)需要的人才學歷均要求至少達研究生以上。這意味著，芯片產(chǎn)業(yè)高端人才培養(yǎng)周期很長。近年來，隨著全球新一輪數(shù)字化信息革命推進發(fā)展，世界芯片科技產(chǎn)業(yè)進入高速發(fā)展階段，這導致全球各個國家和地區(qū)的芯片人才供給均陷入緊缺狀態(tài)。特別是在國內(nèi)，由于我國大陸芯片產(chǎn)業(yè)發(fā)展較其他國家和地區(qū)發(fā)展起步較晚，且行業(yè)前期主要依賴進口，使得國內(nèi)人才儲備較美國日本、中國臺灣等其他芯片技術(shù)起步早的國家和地區(qū)更為不足。

據(jù)《中國集成電路產(chǎn)業(yè)人才白皮書》數(shù)據(jù)顯示，2020年、2022年、2023年，我國集成電路行業(yè)人才缺口分別為32萬人、25萬人、20萬人。同時，最新報告指出，預計到2023年前后，全行業(yè)人才需求將達到76.65萬人左右，其中人才缺口將達到20萬人。此次成立的就業(yè)育人聯(lián)盟聯(lián)合了我國集成電路領域的頂尖人才培養(yǎng)力量，將成為國內(nèi)高校畢業(yè)生就業(yè)創(chuàng)業(yè)工作示范基地之一。在就業(yè)育人聯(lián)盟的先行、示范、引領下，我國芯片產(chǎn)業(yè)各環(huán)節(jié)參與者都將以人才培養(yǎng)為目的，進一步深化產(chǎn)教融合、推動高校人才培養(yǎng)與社會需求有效適配，配合就業(yè)育人聯(lián)盟制定“協(xié)同育人、協(xié)同辦學、協(xié)同創(chuàng)新”的產(chǎn)教融合就業(yè)育人新機制，將持續(xù)為中國芯片人才培養(yǎng)貢獻力量，填補國內(nèi)芯片產(chǎn)業(yè)人才空缺，助力國產(chǎn)芯片科技高質(zhì)量發(fā)展。

圖1：2020-2023年中國集成電路行業(yè)人才缺口（單位：萬人）

資料來源：《中國集成電路產(chǎn)業(yè)人才發(fā)展報告》、智研咨詢整理

【重點事件】深圳坪山攜手復旦大學，共同推動集成電路與半導體產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新發(fā)展

5月21日，深圳市坪山區(qū)人民政府與復旦大學微電子學院合作備忘錄簽約儀式在坪山舉行。

根據(jù)備忘錄，雙方將聚焦集成電路與半導體產(chǎn)業(yè)領域，依托坪山區(qū)集成電路和半導體產(chǎn)業(yè)“強制造”的良好基礎，充分發(fā)揮復旦大學微電子學院在科研、人才、平臺等方面的綜合優(yōu)勢，圍繞科研與產(chǎn)業(yè)合作、人才交流與培養(yǎng)兩個主題，共同開展應用技術(shù)研究、成果轉(zhuǎn)化和產(chǎn)業(yè)化、平臺共建、政產(chǎn)學研、人才交流培養(yǎng)等合作，有效提升復旦大學微電子學院科研和產(chǎn)業(yè)創(chuàng)新轉(zhuǎn)化水平，全方位助力坪山區(qū)打造具有國際競爭力和影響力的集成電路與半導體產(chǎn)業(yè)集群。

【重點事件】比利時半導體研究機構(gòu)IMEC將獲得25億歐元投資

5月21日，比利時微電子研究中心（IMEC）發(fā)布公告稱，將主辦NanoIC試驗線，預計25億歐元的投資將通過公共和私人捐款共同完成。歐盟資助計劃通過“芯片聯(lián)合體”（Chips Joint Undertakings）等提供14億歐元，私人捐款將來自多個行業(yè)合作伙伴（包括ASML），總額將達到11億歐元。

【重點事件】蘋果高管訪問臺積電，將包圓其所有初期 2nm 工藝產(chǎn)能

5月21日消息，蘋果公司首席運營官杰夫?威廉姆斯（JeffWilliams）昨日訪問臺積電，最新消息稱雙方舉辦了一場“秘密會議”，蘋果將包圓臺積電所有初期2nm工藝產(chǎn)能。

長期以來，臺積電一直是蘋果公司A系列和M系列處理器的獨家芯片制造商。蘋果預定了臺積電100%所有的3nm芯片制造能力，用于iPhone15Pro機型中使用的A17Pro芯片、最新Mac中使用的M3芯片以及新iPadPro中使用的M4芯片。

消息顯示，蘋果高管本次訪問臺積電，全程受到了魏哲家親自接待。蘋果這次低調(diào)的訪問是為了確保臺積電的先進制造能力，可能是2納米工藝，用于蘋果公司內(nèi)部的人工智能芯片。

【重點事件】三星計劃利用第二代3nm工藝技術(shù)來爭奪英偉達的芯片代工訂單

5月21日消息，三星計劃利用其即將推出的第二代3nm工藝技術(shù)來爭奪英偉達的芯片代工訂單。但最新報告顯示，三星3nm工藝的良率僅為20%，這可能成為其競爭中的一個重大障礙。

與此形成鮮明對比的是，臺積電的N3B工藝良率已接近55%，這使得臺積電在先進芯片制造領域保持了其行業(yè)領導者的地位。

三星的低良率意味著其生產(chǎn)成本將更高，這可能會削弱其在價格和性能方面與臺積電競爭的能力。目前三星電子晶圓代工部門已經(jīng)制定了“Nemo”計劃，目標是在2024年贏得英偉達的3nm芯片代工訂單。

【重點企業(yè)】臺積電InFO_SoW技術(shù)已投入量產(chǎn)

5 月 21 日消息，據(jù)臺媒報道，臺積電宣布已開始利用其 InFO_SoW（晶圓上集成扇出硅）技術(shù)生產(chǎn)特斯拉 Dojo AI 訓練模塊，目標是到2027年通過更復雜的晶圓級系統(tǒng)將計算能力提高40倍。

此前消息顯示，特斯拉超級計算機自制芯片 Dojo 采用臺積電7nm制程，作為臺積電首款 InFO_SoW 產(chǎn)品，將提供高速運算定制化需求，且不需要額外PCB載板，就能將相關(guān)芯片集成散熱模塊，加速生產(chǎn)流程。

在臺積電公布的資料中，InFO_SoW 相比于采用倒裝芯片（Flip Chip）技術(shù)的 Multi-chip-module（MCM），在線密度、帶寬密度方面等多個方面都有明顯的優(yōu)勢。根據(jù)臺積電的說法，它可以將帶寬密度提高2倍，阻抗降低97%，同時將互連功耗降低15%。

至此，臺積電首款SoW產(chǎn)品采用以邏輯芯片為主的集成型扇出（InFO）技術(shù)，現(xiàn)已投入生產(chǎn)。另一款采用CoWoS技術(shù)的芯片堆疊版本，預計于2027年問世，可整合SoIC、HBM及其他零部件，打造一個強大且運算能力媲美資料中心伺服器機架，或甚至整臺服務器的晶圓級系統(tǒng)。

【重點企業(yè)】AMD計劃在臺灣設立研發(fā)中心

5月20日，超威半導體（AMD）計劃在中國臺灣地區(qū)投資50億元新臺幣（約合人民幣11.22億元）設立研發(fā)中心。

據(jù)悉，AMD原計劃于2023年底申請“領航企業(yè)研發(fā)深耕計劃”，但由于當時計劃經(jīng)費已用罄，后續(xù)投資將主要依賴于2025年編列的科技預算。報道中稱，AMD董事長兼CEO蘇姿豐計劃于6月赴臺灣地區(qū)出席2024臺北國際電腦展，并在活動期間討論相關(guān)事宜。

有消息稱，對于AMD的投資項目，臺灣地區(qū)方面期望至少能引進20%的外籍人才，并希望有高階研發(fā)主管長期駐臺。

【重點企業(yè)】比利時imec中心獲得戰(zhàn)略投資

5月21日，比利時納米電子學研究中心imec宣布獲得戰(zhàn)略投資。imec主要從事2nm制程SoC的開發(fā)業(yè)務，并為從學界到企業(yè)界的參與者提供用于原型開發(fā)的PDK，從而降低芯片研發(fā)風險，提升開發(fā)效率。

作為一家成立于1982年的研究中心，imec在納米電子學領域擁有深厚的技術(shù)積累和豐富的實踐經(jīng)驗。此輪融資將助力imec進一步推進2nm制程SoC的研發(fā)工作，并為相關(guān)參與者提供更優(yōu)質(zhì)的原型開發(fā)服務。

【重點企業(yè)】美國半導體和顯示設備供應商計劃在硅谷中心地帶建立研究中心

5月22日，美國半導體和顯示設備供應商應用材料公司表示，該公司計劃投資40億美元在硅谷中心地帶建立一研究中心，旨在促進全球半導體和計算行業(yè)所需基礎技術(shù)的開發(fā)和商業(yè)化。應用材料表示，該研究中心名為“設備和工藝創(chuàng)新與商業(yè)化”（EPIC），將建在加州桑尼維爾，并于2026年投入使用，將創(chuàng)造多達2000個工程崗位。該中心將在頭十年承擔約250億美元的研究工作，匯集來自研究型大學和主要芯片制造商的員工，如英特爾、臺積電和三星電子等。應用材料表示將在7年內(nèi)向新設施投資，并希望美國政府通過《芯片法案》提供補貼。

【重點事件】工信部與港投公司就RISC-V產(chǎn)業(yè)協(xié)同發(fā)展進行交流

5月20日，據(jù)自工信部官網(wǎng)消息，香港投資管理有限公司（簡稱“港投公司”，HKIC）行政總裁陳家齊拜訪工業(yè)和信息化部電子信息司，雙方圍繞RISC-V（第五代精簡指令集）應用落地、技術(shù)創(chuàng)新和標準制定相關(guān)內(nèi)容展開深入交流。

會議提出，RISC-V的開源開放能帶來更多的產(chǎn)品優(yōu)勢并構(gòu)筑更牢固的產(chǎn)業(yè)安全基礎，已經(jīng)成為一種技術(shù)發(fā)展趨勢，需要更多的國家和地區(qū)參與并作出貢獻。同時，RISC-V也面臨碎片化的潛在風險，需要多方協(xié)同，加強在標準上的合作，利用中國市場優(yōu)勢，快速推進最佳產(chǎn)業(yè)實踐和應用標準，幫助國際生態(tài)發(fā)展。

香港投資管理有限公司將發(fā)揮橋梁紐帶動作用，協(xié)助內(nèi)地探索更多的應用示范機會，為技術(shù)的國際化推廣提供有力支持，并牽頭帶動香港企業(yè)加強與中電標協(xié)RISC-V工作委員會合作，以及邀請香港企業(yè)將對標準的理解和需求融入行業(yè)協(xié)會工作中，共同推動RISC-V生態(tài)的繁榮與發(fā)展。

雙方通過本次交流座談，為后續(xù)進一步加強香港和內(nèi)地在RISC-V產(chǎn)業(yè)及標準合作、建設常態(tài)化交流機制、加快構(gòu)筑國際化的RISC-V產(chǎn)業(yè)體系奠定了基礎。

【重點企業(yè)】IMEC獲25億歐元投資，牽頭建設亞2nm中試線

5月21日，據(jù)比利時半導體研究機構(gòu)（IMEC）公告，IMEC 將籌集25億歐元（約合27.15億美元）的資金，以建立一條中試線（NanoIC），用于開發(fā)和測試未來幾代先進計算機芯片。

其中，預計將有14億歐元來自 Chip JU 和比利時佛蘭德斯政府，另外11億歐元的私人捐款則來自包括ASML在內(nèi)的行業(yè)合作伙伴。

據(jù)悉，NanoIC 中試線是歐洲芯片聯(lián)合企業(yè) Chip JU 指定的四條先進半導體中試線項目之一，由 IMEC 牽頭建設，將聚焦于亞2nm制程SoC的開發(fā)，并為從學界到企業(yè)界的參與者提供用于原型開發(fā)的PDK，從而降低芯片研發(fā)風險，提升開發(fā)效率。旨在彌合從實驗室到晶圓廠的差距，通過小批量生產(chǎn)加速概念驗證產(chǎn)品的開發(fā)設計與測試。

【重點企業(yè)】三星已啟動代號為“Thetis”的 2 納米芯片開發(fā)

5月23日消息，根據(jù) ET News 最新報道，三星正在研發(fā)一款代號為 "Thetis" 的新型芯片。這款系統(tǒng)級芯片（SoC）計劃于 2025 年開始，利用 2 納米工藝批量生產(chǎn)，并搭載在 Galaxy S26 系列手機上。與前代 Exynos 2400 采用 AMD RDNA 架構(gòu) GPU 不同，Exynos 2600 據(jù)說將搭載三星自主研發(fā)的 GPU。

按照推測，Galaxy S26 系列的發(fā)布時間定在 2026 年 1 月份。而競爭對手蘋果，則預計在 2025 年 9 月推出 iPhone 17 系列，傳聞將搭載臺積電 2 納米工藝的芯片，這意味著三星在 2 納米芯片手機商用上或?qū)⒙浜笥谔O果。

另外，三星有望在 2024 年 7 月 10 日的 Galaxy Unpacked 活動上，與 Galaxy Z Fold 6 和 Galaxy Z Flip 6 一同發(fā)布這款處理器的更多信息。

【重點企業(yè)】士蘭微擬合作投建8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目

5月21日，士蘭微發(fā)布公告稱，公司擬與廈門半導體投資集團有限公司、廈門新翼科技實業(yè)有限公司共同向子公司廈門士蘭集宏半導體有限公司增資41.50億元，并于2024年5月21日簽署《8 英寸 SiC 功率器件芯片制造生產(chǎn)線項目之投資合作協(xié)議》。

公告顯示，結(jié)合各方在技術(shù)、市場、團隊、運營、資金、區(qū)位和區(qū)位政策以及營銷等方面的優(yōu)勢，各方合作在廈門市海滄區(qū)合資經(jīng)營項目公司“廈門士蘭集宏半導體有限公司”，以項目公司負責作為項目主體建設一條以 SiC-MOSEFET 為主要產(chǎn)品的8英寸SiC功率器件芯片制造生產(chǎn)線，產(chǎn)能規(guī)模6萬片/月。

據(jù)悉，第一期項目總投資70億元，其中資本金42.1億元，占約60%；銀行貸款27.9億元，占約40%。第二期投資50億元，在第一期的基礎上實施（第二期項目資本結(jié)構(gòu)暫定其中30億元為資本金投資，其余為銀行貸款）。第二期建成后新增8英寸SiC芯片2.5萬片/月的生產(chǎn)能力，與第一期的3.5萬片/月的產(chǎn)能合計形成6萬片/月的產(chǎn)能。

合作各方擬將項目公司建成一家符合國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃、開展以第三代半導體功率器件研發(fā)、制造和銷售為主要業(yè)務的半導體公司，并具有國際化經(jīng)營能力，以取得良好的經(jīng)濟、社會效益；支撐帶動終端、系統(tǒng)、IC 設計、裝備、材料產(chǎn)業(yè)鏈上下游企業(yè)在廈門集聚，為中國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展助力。

【重點企業(yè)】思坦科技完成數(shù)千萬元B2輪融資

5月21日消息，思坦科技近日完成數(shù)千萬元B2輪融資，本輪融資繼續(xù)引入產(chǎn)業(yè)投資方，由A股智能檢測設備上市公司思泰克領投、粵財中垠跟投，B輪融資合計超1.5億元。本輪所融資金將用于Micro-LED顯示芯片的產(chǎn)品量產(chǎn)及市場開拓，同時進一步豐富公司的產(chǎn)業(yè)鏈資源。

思坦科技是專業(yè)從事Micro-LED半導體顯示技術(shù)研發(fā)、生產(chǎn)及銷售的國家級專精特新“小巨人”企業(yè)，為AR/XR、車載等應用提供Micro-LED一站式技術(shù)解決方案。繼2022年7月完成A+輪融資后，思坦將量產(chǎn)線落地于廈門市火炬高新區(qū)，以思坦半導體為芯片設計基地、思坦集成為一期生產(chǎn)基地，設計年產(chǎn)能達600萬套顯示芯片，推動Micro-LED從中試到量產(chǎn)落地。目前思坦科技廈門量產(chǎn)線已全面竣工，預計于今年二季度內(nèi)正式量產(chǎn)。

【重點企業(yè)】京東方華燦光電再投資9.85億元進行擴產(chǎn)

5月20日，京東方華燦光電發(fā)布《第六屆董事會第七次會議決議公告》稱，公司董事會審議通過了《關(guān)于全資子公司京東方華燦光電（蘇州）有限公司投資擴產(chǎn)項目的議案》。

京東方華燦光電擬以全資子公司京東方華燦光電（蘇州）有限公司（以下簡稱：蘇州華燦）為實施主體投資擴產(chǎn)項目。項目落地在張家港經(jīng)濟開發(fā)區(qū)晨豐公路28號蘇州華燦廠區(qū)內(nèi)，擬投資金額約9.85億元，資金來源為蘇州華燦自有資金和自籌資金。

據(jù)悉，蘇州華燦成立于2012年。2023年11月，蘇州華燦在張家港經(jīng)濟技術(shù)開發(fā)區(qū)投資建設的外延芯片項目一期廠房正式竣工。根據(jù)當時的消息，一期項目投資18億，形成年生產(chǎn)并處理4英寸外延42萬片，折合2英寸外延168萬片，對應240億顆芯片產(chǎn)能。

隨后，張家港廠區(qū)持續(xù)擴產(chǎn)。2023年年報顯示，目前蘇州華燦擁有LED外延片芯片項目；LED外延片、LED芯片二期項目；LED外延片芯片三期項目；LED外延片芯片三期擴產(chǎn)項目；白光LED、Mini/Micro LED開發(fā)及生產(chǎn)線擴建項目（四期）；垂直腔面發(fā)射激光芯片（VCSEL）開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目（五期）；新一代全色系微顯示及高端植物照明和護眼背光的LED技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化項目；高端植物照明和護眼背光的LED技術(shù)開發(fā)及產(chǎn)業(yè)化擴產(chǎn)項目等。

綜上分析，張家港廠區(qū)已成為京東方華燦光電業(yè)務版圖中極為重要的一環(huán)。此外，2024年1月31日，京東方華燦珠海Micro LED晶圓制造和封裝測試基地項目封頂。據(jù)悉，該項目于2023年7月開工，預計在2024年12月計劃實現(xiàn)量產(chǎn)。

產(chǎn)能方面，項目建成后可實現(xiàn)Micro LED晶圓產(chǎn)能5.88萬片組/年，Micro LED像素器件產(chǎn)能45,000.00kk顆/年。屆時，京東方華燦光電的企業(yè)實力將進一步擴充。

【重點事件】江蘇常州金壇半導體封測總部項目啟動

5月21日，總投資50億元的半導體封測總部項目簽約儀式在江蘇省常州市金壇舉行。

據(jù)官方媒體消息，該項目由制局半導體（江蘇）有限公司投資建設，擬在華羅庚高新區(qū)新建公司總部，規(guī)劃工業(yè)用地159畝，新建總建筑面積約12.5萬平方米高標準半導體工廠及附屬配套設施。項目一期用地59畝，總投資15億元，建設HI-SiP模組研發(fā)中心、工程技術(shù)中心及半導體先進封測基地，以滿足汽車電子、通訊電子、AI、醫(yī)療、航空航天領域先進封測和器件模組需求，計劃于2024年開工建設，2026年上半年建成投產(chǎn)。項目二期用地100畝，總投資35億元，建設高頻微波、功率、寬禁帶化合物半導體器件及模組制造基地，計劃于2028年開工建設，2029年建成投產(chǎn)。項目達產(chǎn)后可實現(xiàn)年產(chǎn)值50億元。

【重點企業(yè)】德賽矽鐠一期工程竣工投產(chǎn)

5月21日，據(jù)惠州日報消息，位于中韓（惠州）產(chǎn)業(yè)園的德賽矽鐠一期工程已竣工投產(chǎn)，二期工程計劃今年下半年啟動，預計2025年全面完成建設。

據(jù)悉，德賽矽鐠是德賽“百億投資工程”之一，也是惠州市重點產(chǎn)業(yè)項目。項目總投資21億元，占地約9萬平方米，集研發(fā)、制造等于一體。項目一期工程產(chǎn)能規(guī)劃2800萬片/月，二期工程產(chǎn)能規(guī)劃2000萬片/月。今年預計實現(xiàn)產(chǎn)值30億元，全面建成達產(chǎn)后將實現(xiàn)年產(chǎn)值約50億元。相關(guān)負責人表示，項目一期竣工投產(chǎn)將進一步提升惠州先進封裝和半導體產(chǎn)業(yè)鏈水平，助力惠州打造更具核心競爭力的萬億級電子信息產(chǎn)業(yè)集群。

據(jù)了解，德賽矽鐠主要從事SIP（System In Package，系統(tǒng)級封裝）模組和電子元器件制造，公司當前正在開拓晶圓級SIP封裝、主板級SIP封裝、倒裝芯片等封裝產(chǎn)業(yè)。未來，德賽矽鐠將不斷發(fā)展、擴張、升級，由2D SIP封裝向先進半導體封裝領域延伸。

目前，德賽矽鐠已成功導入華為、小米、榮耀、三星、Meta等客戶并量產(chǎn)，后續(xù)將有更多的項目落地，預計下半年仍將保持高速增長的狀態(tài)。

【重點企業(yè)】聯(lián)電新加坡Fab 12i P3新廠首批設備到廠

據(jù)聯(lián)電（UMC）官網(wǎng)消息，5月21日，聯(lián)電在新加坡Fab 12i舉行第三期擴建新廠的上機典禮，首批設備到廠，象征公司擴產(chǎn)計劃建立新廠的重要里程碑。

據(jù)悉，聯(lián)電曾表示新加坡Fab12i P3旨在成為新加坡最先進半導體晶圓代工廠之一，提供22/28nm制程，以支持5G、物聯(lián)網(wǎng)和車用電子等領域需求，總投資金額為50億美元。

據(jù)了解，聯(lián)電早在2022年2月宣布了在新加坡Fab 12i P3廠的擴建計劃。當時消息稱，新廠第一期月產(chǎn)能規(guī)劃30,000片晶圓，2024年底開始量產(chǎn)，后又在2022年底稱，在過程中因缺工缺料及機臺交期長等因素影響，量產(chǎn)時程可能將較規(guī)劃的2024年底延遲超過一季。

聯(lián)電新加坡投入12寸晶圓制造廠營運超過20年，新加坡Fab12i P3廠也是聯(lián)電先進特殊制程研發(fā)中心。

【重點企業(yè)】艾森股份擬投資不低于5億元，建設集成電路材料制造基地

5月20日，艾森股份發(fā)布公告，公司擬在昆山市投資建設艾森集成電路材料制造基地項目，項目總規(guī)劃約50畝，預計投資總額為不低于5億元。

艾森股份主要從事半導體用濕電子化學品、光刻膠等電子化學品研發(fā)和生產(chǎn)，是首批國家級專精特新“小巨人”企業(yè)，去年成功登陸資本市場，成為科創(chuàng)板光刻膠第一股。

根據(jù)公告，艾森股份擬與昆山市千燈鎮(zhèn)人民政府簽署的《“艾森集成電路材料制造基地”項目投資協(xié)議書》顯示，該基地產(chǎn)品包括半導體用光刻膠、電鍍液、光刻膠樹脂、高純試劑等，預計達產(chǎn)后總年產(chǎn)值不低于8億元。

艾森股份表示，該制造基地建成后，將進一步提高公司的產(chǎn)能，以支撐公司光刻膠、電鍍液及配套試劑等高端電子化學品未來的產(chǎn)業(yè)化需求，從而推動公司業(yè)務規(guī)模的持續(xù)增長，提升公司整體競爭力和盈利能力。

【重點技術(shù)】美迪凱成功開發(fā)TGV工藝（玻璃通孔工藝）

5月22日，美迪凱（688079.SH）在投資者互動平臺表示，公司成功開發(fā)了TGV工藝（玻璃通孔工藝），通過激光誘導和濕法腐蝕工藝對玻璃基材實現(xiàn)微小孔徑（Min10μm）的通孔、盲孔處理。