氮化鎵單晶襯底

趨勢研判！2026年中國氮化鎵單晶襯底?行業(yè)政策、產(chǎn)業(yè)鏈圖譜、運行現(xiàn)狀、競爭格局及未來發(fā)展趨勢分析：技術路線多元突破，產(chǎn)業(yè)生態(tài)加速成形[圖]

氮化鎵單晶襯底是通過同質(zhì)外延生長技術制備的獨立氮化鎵晶體材料，無需依賴藍寶石、碳化硅等異質(zhì)襯底支撐。其核心特性在于低缺陷密度、高熱導率和高擊穿電壓，是第三代寬禁帶半導體材料的典型代表。作為外延GaN的理想基底，其晶格匹配度接近100%，可顯著提升器件性能，尤其適用于高壓、高頻、大功率場景。