一、半導(dǎo)體材料發(fā)展的影響因素
半導(dǎo)體材料是一類具有半導(dǎo)體性能(導(dǎo)電能力介于導(dǎo)體與絕緣體之間,電阻率約在1mΩ•cm~1GΩ•cm范圍內(nèi))、可用來(lái)制作半導(dǎo)體器件和集成電路的電子材料。以下對(duì)半導(dǎo)體材料發(fā)展前景分析。
從歷史數(shù)據(jù)可以看到,半導(dǎo)體材料市場(chǎng)與行業(yè)變化情況相關(guān)性強(qiáng)。半導(dǎo)體材料市場(chǎng)會(huì)根據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)的變化而變化。目前,2015 年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)產(chǎn)值已達(dá)到434 億美元,約占據(jù)半導(dǎo)體整體產(chǎn)業(yè)的13%,其規(guī)模巨大。
近幾年,由于市場(chǎng)需求的不斷擴(kuò)大、投資環(huán)境的日益改善、優(yōu)惠政策的吸引及全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)向中國(guó)轉(zhuǎn)移等等原因,我國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)保持較高增長(zhǎng)率。整個(gè)半導(dǎo)體行業(yè)快速發(fā)展,這也要求材料業(yè)要跟上半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展的步伐??梢哉f(shuō),半導(dǎo)體整體市場(chǎng)發(fā)展為半導(dǎo)體支撐材料業(yè)帶來(lái)前所未有的發(fā)展機(jī)遇。
半導(dǎo)體材料發(fā)展的有利因素
1 | 資金扶持及政策驅(qū)動(dòng) | 近年,隨著《國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》的頒布實(shí)施,集成電路、半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展上升為國(guó)家戰(zhàn)略,各地發(fā)展集成電路的熱情高漲,上海、南京、安徽、福建、重慶和成都等地紛紛推出集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展基金,為產(chǎn)業(yè)發(fā)展助力并提供資金支持。2016年11月-12月,國(guó)務(wù)院相繼發(fā)布《“十三五”國(guó)家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》及《“十三五”國(guó)家信息化規(guī)劃》、國(guó)家發(fā)改委聯(lián)合工信部發(fā)布《信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展指南》等一系列政策,旨在推動(dòng)產(chǎn)業(yè)能力實(shí)現(xiàn)快速躍升,大力推進(jìn)集成電路創(chuàng)新突破,著力提升集成電路設(shè)計(jì)水平、建成技術(shù)先進(jìn)且安全可靠的集成電路產(chǎn)業(yè)體系;2017年4月,科技部發(fā)布《國(guó)家高新技術(shù)產(chǎn)業(yè)開發(fā)區(qū)“十三五”發(fā)展規(guī)劃》,不斷優(yōu)化產(chǎn)業(yè)結(jié)構(gòu),推進(jìn)集成電路及專用裝備關(guān)鍵核心技術(shù)突破和應(yīng)用;“十三五”期間,科技部制定的《“十三五”材料領(lǐng)域科技創(chuàng)新專項(xiàng)規(guī)劃》也在戰(zhàn)略性電子材料發(fā)展方向?qū)Φ谌雽?dǎo)體材料技術(shù)進(jìn)行了系統(tǒng)布局,在新材料技術(shù)發(fā)展方面,重點(diǎn)發(fā)展戰(zhàn)略性電子材料、先進(jìn)結(jié)構(gòu)與復(fù)合材料、新型功能與智能材料,滿足戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)的發(fā)展需求。 |
2 | 部分關(guān)鍵技術(shù)突破加快 | 在大規(guī)模集成電路制造裝備、成套工藝專項(xiàng)以及相關(guān)產(chǎn)業(yè)政策的推動(dòng)下,近年來(lái)我國(guó)半導(dǎo)體設(shè)備產(chǎn)業(yè)取得較快進(jìn)步,部分關(guān)鍵設(shè)備從無(wú)到有,實(shí)現(xiàn)了與國(guó)際先進(jìn)技術(shù)水平的同步發(fā)展。同時(shí),部分國(guó)產(chǎn)設(shè)備進(jìn)入大生產(chǎn)線,在產(chǎn)業(yè)化進(jìn)程上取得突破。結(jié)合半導(dǎo)體細(xì)分領(lǐng)域的技術(shù)水平、全球競(jìng)爭(zhēng)力,以及國(guó)產(chǎn)化進(jìn)度等方面來(lái)看,我國(guó)在靶材、封裝基板、CMP拋光材料等方面,部分產(chǎn)品技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)已經(jīng)達(dá)到了全球一流水平,本土產(chǎn)線已實(shí)現(xiàn)中大批量供貨;在硅片、電子氣體、化合物半導(dǎo)體、掩模版等方面,個(gè)別產(chǎn)品技術(shù)標(biāo)準(zhǔn)達(dá)已經(jīng)到全球一流水平,本土產(chǎn)線也已實(shí)現(xiàn)小批量供貨。 |
3 | )產(chǎn)能轉(zhuǎn)移帶動(dòng)半導(dǎo)體材料需求擴(kuò)大 | 近年來(lái)我國(guó)在芯片制程技術(shù)和高端電子產(chǎn)品等方面不斷發(fā)展,半導(dǎo)體大硅片國(guó)產(chǎn)需求迫切。然而,中國(guó)芯片自給率并不高,國(guó)內(nèi)芯片發(fā)展同美國(guó)、日本、韓國(guó)等國(guó)家相比依然存在著較大的差距,中國(guó)半導(dǎo)體市場(chǎng)當(dāng)前已成為全球增長(zhǎng)引擎,下游半導(dǎo)體行業(yè)未來(lái)3年全球產(chǎn)能轉(zhuǎn)移的趨勢(shì)已然明確,本土的制造、封測(cè)、設(shè)計(jì)環(huán)節(jié)的產(chǎn)業(yè)規(guī)模全球占比也將迅速提升,帶動(dòng)著上游材料需求的迅速擴(kuò)大。同時(shí),隨著近年一系列政策落地實(shí)施,半導(dǎo)體成為國(guó)家戰(zhàn)略,國(guó)產(chǎn)替代進(jìn)入黃金時(shí)代,國(guó)家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金開始運(yùn)作,中國(guó)集成電路產(chǎn)業(yè)保持了高速增長(zhǎng),政府的政策支持在集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展中起到了決定性的作用。在政策與需求擴(kuò)增的雙重推動(dòng)作用下,本土半導(dǎo)體材料需求不斷擴(kuò)大,市場(chǎng)發(fā)展為半導(dǎo)體支撐材料業(yè)帶來(lái)了前所未有的發(fā)展機(jī)遇。 |
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半導(dǎo)體材料發(fā)展的不利因素
1 | 行業(yè)起步晚,基礎(chǔ)不足 | 一方面,由于我國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)起步較晚,而半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)投入成本又相對(duì)高,受到資金及技術(shù)等多方面因素的約束限制,我國(guó)在半導(dǎo)體行業(yè)的早起投入不足,因此,較美國(guó)、韓國(guó)、日本等國(guó)家而言,中國(guó)的半導(dǎo)體行業(yè)基礎(chǔ)不足,相關(guān)產(chǎn)業(yè)發(fā)展水平亦相對(duì)落后,與上述國(guó)家存在較大差距。另一方面,半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)是高技術(shù)行業(yè),缺少高端集成電路人才,在晶圓長(zhǎng)制造工藝方面,短缺嚴(yán)重的問題更加凸顯。中國(guó)半導(dǎo)體行業(yè)要想實(shí)現(xiàn)快速健康發(fā)展以期達(dá)到先進(jìn)國(guó)家的水平或超越世界領(lǐng)先水平,還需政府和企業(yè)持續(xù)發(fā)力,再者,半導(dǎo)體是一個(gè)集成性的行業(yè),單單一個(gè)芯片的產(chǎn)生就需要近乎萬(wàn)人的工作量,同時(shí)也需要多年的經(jīng)驗(yàn)積累和創(chuàng)新。 |
2 | 技術(shù)短板明顯,尚未掌握核心技術(shù) | 半導(dǎo)體行業(yè)是典型的“金字塔”結(jié)構(gòu),越上游的企業(yè)反而越少,產(chǎn)值越大,技術(shù)難度也越高。由于起步晚、相關(guān)技術(shù)缺少,我國(guó)半導(dǎo)體發(fā)展受限,尤其是在許多核心技術(shù)方面,尚未掌握其關(guān)鍵。同時(shí),受體制問題和西方國(guó)家的抵制,關(guān)鍵設(shè)備(如光刻設(shè)備(光刻機(jī)))禁止向中國(guó)出售最新設(shè)備,導(dǎo)致我國(guó)集成電路核心技術(shù)受制于人,核心產(chǎn)品和技術(shù)的市場(chǎng)占有率偏低,雖然有一定份額,但基本分布在中低端市場(chǎng),企業(yè)實(shí)力較弱,整體創(chuàng)新水平很低,產(chǎn)品附加值、同質(zhì)化競(jìng)爭(zhēng)等方面都與美、日、韓等國(guó)存在很大差距。中國(guó)擁有全球最大的半導(dǎo)體消費(fèi)市場(chǎng),但因核心技術(shù)缺少,到目前為止,關(guān)鍵芯片領(lǐng)域仍然依賴于外國(guó)進(jìn)口。“國(guó)產(chǎn)化”是未來(lái)發(fā)展的一大趨勢(shì),要想推進(jìn)我國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)快速穩(wěn)健發(fā)展,解決我國(guó)半導(dǎo)體核心技術(shù)顯得尤為迫切。 |
3 | 人才結(jié)構(gòu)性短缺 | 隨著全球集成電路產(chǎn)業(yè)進(jìn)一步走向成熟期,半導(dǎo)體并購(gòu)放緩,半導(dǎo)體集成電路人才的極度缺失浮出水面,中國(guó)亦不例外。雖然經(jīng)過多年的發(fā)展,我國(guó)培養(yǎng)出了一批人才隊(duì)伍,但是無(wú)論是從數(shù)量上還是從質(zhì)量上來(lái)說(shuō),都遠(yuǎn)不足以滿足我國(guó)當(dāng)前產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展的迫切需要。具體來(lái)說(shuō),我國(guó)目前的人才結(jié)構(gòu)性短缺主要體現(xiàn)在以下兩個(gè)方面:一是缺乏高端領(lǐng)軍人才;二是缺乏集成電路領(lǐng)域的基礎(chǔ)性人才。雖然可以通過高薪挖角、海外引進(jìn)人才等方式可以在短時(shí)間彌補(bǔ)一定的國(guó)內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)高端領(lǐng)軍人才缺口,但要解決基礎(chǔ)性人才缺失,仍然需要依靠加強(qiáng)教育培養(yǎng)和企業(yè)培訓(xùn)。解決我國(guó)半導(dǎo)體人才短缺問題,要抱著改革的心態(tài),通過供給側(cè)結(jié)構(gòu)性改革的方式,改變當(dāng)前存在的機(jī)制體制問題,只有這樣才能建立起長(zhǎng)效的發(fā)展機(jī)制。 |
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工信部等部門聯(lián)合發(fā)布的《制造業(yè)人才發(fā)展規(guī)劃指南》也強(qiáng)調(diào)高素質(zhì)勞動(dòng)人才的重要性,并且對(duì)人才發(fā)展機(jī)制做出了頂層設(shè)計(jì)。只有充分解決了半導(dǎo)體行業(yè)人才缺失問題,才能更好的發(fā)展中國(guó)的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè),在今后超越發(fā)達(dá)國(guó)家,也是大有希望的。
二、半導(dǎo)體市場(chǎng)有望回暖產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移造就歷史性機(jī)遇
半導(dǎo)體材料主要分為晶圓制造材料和封裝材料,其中晶圓制造材料包括硅片(37%)、光刻膠、光刻膠配套試劑、濕電子化學(xué)品、電子氣體、 CMP 拋光材料、以及靶材等;芯片封裝材料包括封裝基板(39%)、引線框架、樹脂、鍵合絲、錫球、以及電鍍液等。
可以看出,和光伏鋰電不同,半導(dǎo)體材料是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中細(xì)分領(lǐng)域最多的環(huán)節(jié),且技術(shù)路徑相去甚遠(yuǎn),材料成本合計(jì)占比僅10%。
半導(dǎo)休制造材料市場(chǎng)構(gòu)成
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半導(dǎo)休封裝材料市場(chǎng)構(gòu)成
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智研咨詢發(fā)布的《2020-2026年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)前景規(guī)劃及銷售渠道分析報(bào)告》顯示:半導(dǎo)體材料行業(yè)是半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)鏈中細(xì)分領(lǐng)域最多的產(chǎn)業(yè)鏈環(huán)節(jié),其中晶圓制造材料包括硅片、光掩模、光刻膠、光刻膠輔助材料、工藝化學(xué)品、電子特氣、靶材、CMP拋光材料(拋光液和拋光墊)及其他材料,封裝材料包括引線框架、封裝基板、陶瓷基板、鍵合絲、包封材料、芯片粘結(jié)材料及其他封裝材料,每一種大類材料又包括幾十種甚至上百種具體產(chǎn)品,細(xì)分子行業(yè)多達(dá)上百個(gè)。
2016-2019年全球晶圓制造材料市場(chǎng)規(guī)模及增長(zhǎng)率(億美元、%)
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2016-2019年全球晶圓制造材料市場(chǎng)結(jié)構(gòu)(億美元)
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2018年全球晶圓制造材料市場(chǎng)細(xì)分產(chǎn)品結(jié)構(gòu)
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2019年,全球半導(dǎo)體行業(yè)實(shí)現(xiàn)銷售總收入4090億美元,同比下降12.8%。集成電路的細(xì)分項(xiàng)存儲(chǔ)器收入大幅下滑是拖累產(chǎn)業(yè)進(jìn)入低谷的首要因素。集成電路是半導(dǎo)體行業(yè)的最大組成部分,2019年收入3304億,占比達(dá)到80.8%,同比下降16.0%。集成電路的萎靡直接導(dǎo)致了半導(dǎo)體行業(yè)的景氣度下滑。集成電路又可細(xì)分為存儲(chǔ)器、邏輯電路、微處理器及模擬電路四個(gè)主要組成部分,2019年的收入分別為1059億/1046億/657億/542億,占比依次為32.1%/31.7%/19.9%/16.4%。在過去一年,集成電路各細(xì)分市場(chǎng)均出現(xiàn)了不同程度的下滑,其中首當(dāng)其沖是存儲(chǔ)器板塊,全年收入同比降低33.0%,成為拖累整個(gè)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)進(jìn)入低谷的首要因素。供給側(cè)來(lái)看,2018年,三星、SK以及Micron等全球存儲(chǔ)器芯片巨頭在創(chuàng)新技術(shù)上展開激烈競(jìng)爭(zhēng),在投資、建廠、擴(kuò)產(chǎn)等方面紛紛布局,導(dǎo)致了產(chǎn)能過剩,2018-2019年上半年,DRAM和NANDFlash價(jià)格大幅下滑;需求側(cè)來(lái)看,全球智能手機(jī)、服務(wù)器等需求動(dòng)能趨于疲軟。疊加中美貿(mào)易戰(zhàn)影響持久,2019年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)出現(xiàn)了十年以來(lái)的最大降幅。
集成電路占半導(dǎo)體行業(yè)收入超過80%(美元)
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動(dòng)態(tài)來(lái)看,2019年下半年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)開始復(fù)蘇,預(yù)計(jì)2020年市場(chǎng)將持續(xù)增長(zhǎng)。經(jīng)過調(diào)整,目前半導(dǎo)體行業(yè)供應(yīng)鏈庫(kù)存情況已較大幅度改善,DRAM及NAND的價(jià)格呈現(xiàn)觸底回升趨勢(shì)。2019年下半年起,全球半導(dǎo)體行業(yè)呈現(xiàn)復(fù)蘇態(tài)勢(shì)。展望2020年,在5G、AI以及云計(jì)算等新興技術(shù)的應(yīng)用下,下游市場(chǎng)需求有望回暖并實(shí)現(xiàn)增長(zhǎng),推動(dòng)全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)重回上升周期。國(guó)際上多家市場(chǎng)調(diào)研機(jī)構(gòu)對(duì)2020年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)做出了預(yù)測(cè),除ObjectiveAnalysis認(rèn)為全球市場(chǎng)有可能出現(xiàn)下滑外,其余機(jī)構(gòu)普遍看好2020年的增長(zhǎng)。在統(tǒng)計(jì)預(yù)測(cè)結(jié)果中,對(duì)2020年全球半導(dǎo)體市場(chǎng)增速預(yù)測(cè)的中位數(shù)為5.9%。
DRAM及NAND價(jià)格觸底回升
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國(guó)外機(jī)構(gòu)對(duì)2020年增速預(yù)測(cè)中位數(shù)為5.9%
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近年來(lái),半導(dǎo)體市場(chǎng)穩(wěn)步發(fā)展,2018年全球半導(dǎo)體行業(yè)總銷售額達(dá)到4687.78億美元,同比增長(zhǎng)13.72%。
全球半導(dǎo)體銷售額及增長(zhǎng)率
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細(xì)化來(lái)看,半導(dǎo)體設(shè)備總銷售額為645.3億美元;半導(dǎo)體材料總銷售額為519.4億美元,約占半導(dǎo)體行業(yè)整體的11%。集成電路方面,IC設(shè)計(jì)行業(yè)總銷售額為1139億美元,IC制造與封測(cè)市場(chǎng)規(guī)模2794億美元。
2018年全球半導(dǎo)體細(xì)分行業(yè)銷售額和市場(chǎng)規(guī)模
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二、濺射靶材市場(chǎng)前景可期
(一)、芯片制備的關(guān)鍵一環(huán)
濺射工藝是制備電子薄膜的主要技術(shù)之一,它利用離子源產(chǎn)生的離子,在高真空中經(jīng)過加速聚集,而形成高速度能的離子束流,轟擊固體表面,離子和固體表面原子發(fā)生動(dòng)能交換,使固體表面的原子離開固體并沉積在基底表面,被轟擊的固體是用濺射法沉積薄膜的原材料,稱為濺射靶材。主要應(yīng)用場(chǎng)景包括超大規(guī)模集成電路制造等。
靶材產(chǎn)業(yè)鏈主要分金屬提純、靶材制造、濺射鍍膜、終端應(yīng)用四個(gè)環(huán)節(jié)。其中濺射鍍膜是整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈中技術(shù)要求最高的環(huán)節(jié)。濺射薄膜的品質(zhì)對(duì)下游產(chǎn)品的質(zhì)量具有重要影響。市場(chǎng)長(zhǎng)期被美國(guó)、日本跨國(guó)集團(tuán)壟斷,主要設(shè)備提供商包括AMAT(美國(guó))、ULVAC(日本)、ANELVA(日本)、Varian(美國(guó))、ULVAC(日本)等行業(yè)內(nèi)知名企業(yè)。
濺射靶材產(chǎn)業(yè)鏈
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(二)、需求:預(yù)計(jì)市場(chǎng)規(guī)模將繼續(xù)提升
在PVD兩大系列鍍膜產(chǎn)品中,濺射鍍膜已成為最主要的薄膜材料制備方法,濺射靶材也是目前市場(chǎng)應(yīng)用量最大的PVD鍍膜材料。隨著消費(fèi)類電子產(chǎn)品等終端應(yīng)用市場(chǎng)的快速發(fā)展,濺射靶材市場(chǎng)規(guī)模也日益擴(kuò)大。2016年全球高純?yōu)R射靶材市場(chǎng)規(guī)模約113.6億美元,其中平板顯示、記錄媒體、太陽(yáng)能電池和半導(dǎo)體分別占34%、29%、21%、10%。到2019年全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)規(guī)模將超過163億美元,增幅43%,年復(fù)合增長(zhǎng)率13%。
2017年我國(guó)靶材需求市場(chǎng)規(guī)模202.2億元,其中顯示市場(chǎng)占比接近一半,磁記錄、半導(dǎo)體和太陽(yáng)能市場(chǎng)分別占比28%、9%、8%。這顯示出我國(guó)顯示市場(chǎng)需求明顯大于全球平均,而太陽(yáng)能市場(chǎng)低于全球平均。預(yù)測(cè)2018-2020年國(guó)內(nèi)靶材市場(chǎng)需求增速預(yù)計(jì)達(dá)到20%以上,市場(chǎng)規(guī)模將繼續(xù)提升。
全球?yàn)R射靶材市場(chǎng)規(guī)模(億美元)
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1、半導(dǎo)體:中國(guó)市場(chǎng)增速更加穩(wěn)定,國(guó)產(chǎn)替代前景可期
半導(dǎo)體集成電路的每個(gè)單元器件內(nèi)部由襯底、絕緣層、介質(zhì)層、導(dǎo)體層及保護(hù)層等組成,其中介質(zhì)層、導(dǎo)體層、保護(hù)層均需用到濺射鍍膜工藝。而集成電路領(lǐng)域鍍膜用靶材主要?jiǎng)t包括鋁靶、鈦靶、銅靶、鉭靶、鎢鈦靶等,一般來(lái)說(shuō),110nm晶圓技術(shù)節(jié)點(diǎn)以上使用鋁導(dǎo)線,配合鈦材料做阻擋層,而110nm晶圓技術(shù)節(jié)點(diǎn)以下使用銅導(dǎo)線,配合鉭材料做阻擋層。此外,隨著技術(shù)進(jìn)步,14nm晶圓技術(shù)節(jié)點(diǎn)中還大量使用鈦材作為高介電常數(shù)的介質(zhì)金屬柵極技術(shù)的主要材料。
近年來(lái)半導(dǎo)體市場(chǎng)穩(wěn)步發(fā)展,2018年全球半導(dǎo)體材料銷售額519億美元,其中晶圓制造材料銷售322億美元,封裝材料銷售197億美元,總銷售額同比增長(zhǎng)10.65%,增速較2017年繼續(xù)增加。濺射靶材市場(chǎng)約占晶圓制造材料的2.6%,約占封裝材料的2.7%,因此可測(cè)算出2018年全球半導(dǎo)體用靶材市場(chǎng)規(guī)模約13.69億美元。
目前,全球的靶材制造行業(yè),特別是高純度的靶材市場(chǎng),呈現(xiàn)寡頭壟斷格局,主要由幾家美日大企業(yè)把持著,如日本的三井礦業(yè)、日礦金屬、日本東曹、住友化學(xué)、日本愛發(fā)科,以及美國(guó)霍尼韋爾、普萊克斯等。
據(jù)估算,日礦金屬是全球最大的靶材供應(yīng)商,靶材銷售額約占全球市場(chǎng)的30%,霍尼韋爾在并購(gòu)Johnson Mattey、整合高純鋁、鈦等原材料生產(chǎn)廠后,占到全球市約20%的份額,此外,東曹和普萊克斯分別占20%和10%。
全球靶材市場(chǎng)被幾大美日制造商把持
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2006-2018年中國(guó)半導(dǎo)體材料銷售額穩(wěn)步增長(zhǎng),銷售額從2006年的23.8億美元上升至2018年的84.4億美元,從增長(zhǎng)率角度來(lái)看增速穩(wěn)定性也大于全球。截止2018年中國(guó)半導(dǎo)體用靶材市場(chǎng)規(guī)模約19.48億元,同比增長(zhǎng)為11.64%,增速略高于全球均值。
預(yù)期2019年全球半導(dǎo)體材料市場(chǎng)將增長(zhǎng)2%,如采用該增速預(yù)測(cè),則可測(cè)算出2019年全球半導(dǎo)體用靶材市場(chǎng)規(guī)模約在13.96億美元,中國(guó)半導(dǎo)體用靶材市場(chǎng)規(guī)模約在19.87億元。
半導(dǎo)體用靶材市場(chǎng)規(guī)模及增長(zhǎng)率
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2、平板顯示:維持平穩(wěn)增長(zhǎng)態(tài)勢(shì)
平板顯示器種類繁多,包括液晶顯示器(LCD)、等離子顯示器(PDP)、有機(jī)發(fā)光二極管顯示器(OLED)以及在LCD基礎(chǔ)上發(fā)展起來(lái)的觸控(TP)顯示產(chǎn)品等。濺射靶材主要用于鍍膜,是平板顯示產(chǎn)業(yè)基礎(chǔ)環(huán)節(jié)主要材料。
平板顯示用濺射靶材的主要品種包括鈮、硅、鉬、鋁、鋁合金、銅、銅合金和氧化銦錫(ITO)等,靶材純度需達(dá)99.999%(5N)以上,工藝難度僅次于半導(dǎo)體靶材。
全球液晶電視面板出貨量及同比增速
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全球移動(dòng)PC面板出貨量及同比增速
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全球液晶電視面板出貨量在2018年達(dá)到2.89億片,同比增長(zhǎng)9.1%;2019年1-8月出貨量1.91億片,增速有所放緩,但仍維持1.81%的正增長(zhǎng)。全球移動(dòng)PC消費(fèi)有所放緩,2018年面板出貨量2.84億片,同比增長(zhǎng)4.49%;2019年1-8月出貨量為1.78億片,同比減少3.05%。
3、太陽(yáng)能電池:2019年有望迎來(lái)復(fù)蘇
太陽(yáng)能電池用的濺射靶材包括鋁靶、銅靶、鉬靶、鉻靶以及ITO靶、AZO靶等,純度一般要求在99.99%以上。從分類來(lái)看,鋁靶、銅靶用于導(dǎo)電層薄膜,鉬靶、鉻靶用于阻擋層薄膜,ITO靶、AZO靶用于透明導(dǎo)電層薄膜。
全球光伏市場(chǎng)有望在2019年迎來(lái)復(fù)蘇,達(dá)到129GW的光伏裝機(jī)量,同比增長(zhǎng)25%,中國(guó)以外的市場(chǎng)如美國(guó)、歐洲等市場(chǎng)將貢獻(xiàn)增量。預(yù)計(jì)2019年全球太陽(yáng)能電池用濺射靶材市場(chǎng)容量將達(dá)到40.2億美元。
全球太陽(yáng)能光伏裝機(jī)容量
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三、中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)銷售額預(yù)測(cè)
2017年,中國(guó)(大陸地區(qū))半導(dǎo)體材料銷售額為76.2億美元。預(yù)計(jì),2018年我國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)銷售額將達(dá)到85億美元,未來(lái)五年(2018-2022)年均復(fù)合增長(zhǎng)率約為8.87%,2022年將達(dá)到120億美元。
2018-2022年中國(guó)半導(dǎo)體材料市場(chǎng)銷售額預(yù)測(cè)
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2025-2031年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀調(diào)查及投資前景研判報(bào)告
《2025-2031年中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀調(diào)查及投資前景研判報(bào)告 》共七章,包含中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)細(xì)分市場(chǎng)分析,中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)領(lǐng)先企業(yè)生產(chǎn)經(jīng)營(yíng)分析,中國(guó)半導(dǎo)體材料行業(yè)市場(chǎng)及投資策略建議等內(nèi)容。



