智研精品報告

2018年全球集成電路銷售額創(chuàng)歷史新高，IGBT行業(yè)規(guī)模達到58.36億美元，預計今后幾年IGBT行業(yè)市場規(guī)模增速依然保持穩(wěn)定增長[圖]

集成電路李子干 2019-05-16 05:39 來源：智研咨詢

2017年第四季集成電路銷售額為1140億美元，季增5.7%、年增 22.5%。2017年全年集成電路銷售額為 4122億美元，創(chuàng)下空前新高，年增率為21.6%。2018年全年全球半導體產業(yè)銷售額達4688億美元，較2017增長13.73%。

2007-2018年全球半導體產業(yè)銷售額情況

資料來源：美國半導體行業(yè)協(xié)會、智研咨詢整理

作為最大存儲芯片供應商，三星在2018年半導體市場的份額達到15.9%，連續(xù)兩年蟬聯(lián)全球第一的寶座，自1992年以來，英特爾一直占據(jù)第一名寶座，2017年三星市場份額升至第一位，替代英特爾。

2018年全球半導體廠商銷售額TOP10（單位：百萬美元）

2018年排名	廠商	2018年收入	市場產比:%	2017年收入	市場產比	2016 年收入	市場占比：%	2015年收入
1	三星電子（Sumsung Electronics）	75854	15.9	61215	14.6	40104	11.70	37852
2	英特爾（Itel）	65862	13.8	57712	13.8	54091	15.70	51690
3	SK hynix	36433	7.6	26309	6.3	14700	4.30	16374
4	Micron Technology	30641	6.4	23062	5.5	12950	3.80	13816
5	Broadcom Ltd.（formerly Avago）	16544	3.5	15490	3.7	13223	3.80	4543
6	Qualcomm	15380	3.2	17063	4.1	15415	4.50	16079
7	Texas Instruments	14767	3.1	13806	3.3	11901	3.50	11635
8	Western digital	9321	2.0	9181	2.2	4170	120.2	-
9	ST Microelectronics	9276	1.9	8031	-	-	-	-
10	NXP Semiconductors	9010	1.9	8750	-	-	-	-

資料來源：公司財報

2018年全球功率半導體（功率器件、功率模塊、功率 IC、其他）市場銷售額從2017年的695.8億美元增長了3.12%達到717.5億美元。

2011-2018年全球功率半導體市場規(guī)模走勢

資料來源：美國半導體行業(yè)協(xié)會、智研咨詢整理

2017年全球IGBT市場規(guī)模為52.55億美元，同比2016年增長16.5%，2018年全球IGBT市場規(guī)模在58.36億美元左右。

2010-2018年全球IGBT市場規(guī)模走勢

資料來源：Infineon、智研咨詢整理

全球IGBT行業(yè)市場集中度高，當中2017年英飛凌三菱集團（Infineon）占全球市場份額的27.1%；三菱（Mitsubishi）市場占有率為16.4%；日本富士電機（Fuji Electric）市場占有率為10.7%，2017年全球前五大生產商占據(jù)市場總量的67.5%。

2016-2017年全球IGBT市場格局

資料來源：英飛凌年報2018、智研咨詢整理

在下游市場需求的推動下，近年來我國國內企業(yè)在IGBT產品領域的研發(fā)投入呈明顯上升趨勢，行業(yè)整體產量從2010年的190萬只增長至2018年的1115萬只，國內市場消費量從2010年的2252萬只增長至2018年的7898萬只。

2010-2018年我國IGBT產品產銷量統(tǒng)計圖

資料來源：智研咨詢整理

目前我國IGBT 優(yōu)秀企業(yè)不多，南車時代、比亞迪等均主要為自己的高鐵和新能源汽車做配套，華微電子屬于國內在消費類IGBT 市場的龍頭企業(yè)，此前主要產品是第四代產品，和國際龍頭差距較大，公司非常重視也極為看好戰(zhàn)略性新興產業(yè)的發(fā)展給功率半導體產業(yè)帶來的廣闊空間，因此公司進一步加大新技術、新產品的研發(fā)投入，研發(fā)投入達到營業(yè)收入的6%以上，研發(fā)的重心以符合國家戰(zhàn)略性新興產業(yè)發(fā)展需求的第四代、第六代IGBT產品、COOLMOS產品以及TRENCH SBD等為主，力求實現(xiàn)高端功率半導體核心技術快速突破。目前新技術產品已陸續(xù)應用于市場，隨著公司新技術、新產品的系列化，將真正實現(xiàn)國內自主技術在中高端市場的規(guī)?；瘧茫行Ъ涌旃镜目蛻?、市場結構調整步伐，進而提升公司整體運營質量，實現(xiàn)公司經營業(yè)績的提高。

國內主要IGBT生產企業(yè)產能配置

公司	業(yè)務類型	最新進度
科達半導體	芯片制造	功率半導體封裝測試項目按計劃已于2011 年2月2 3日正式投產運營，設計年產能為3 .1億只，年產值3億元以上。自主研發(fā)的1200V 的IGBT成功入選2010年國家重點新產品計劃。2011年重點開發(fā)場終止技術IGB T和溝槽IGBT、汽車節(jié)能及新能源汽車專用IGBT芯片。
華微電子	芯片制造	2010年IGBT產品研發(fā)成功，公司已經搭建起IGB T產品基礎工藝平臺，并使產品進一步實現(xiàn)系列化研發(fā)成為可能。開工建設新型電力電子器件基地項目，計劃首期建設一條年產426萬片擴散片、420 萬片外延片的材料片生產線。
中環(huán)股份	芯片制造	研發(fā)出IGBT用區(qū)熔硅單晶拋光片填補了國內空白，已成功打入國際市場；研制出國內首類1200V溝槽型非穿通（NPT） IGBT系列產品，可應用于家電；開發(fā)出3 300V平面型IG BT樣品，可應用于機車與電網。
無錫鳳凰半導體	芯片制造	量產產品線已經涵蓋600V、1200V、1700 V三種系列的多種型號。建設有國內首條NPT-IGBT芯片薄片生產線，可以測量IGBT全部靜態(tài)及動態(tài)參數(shù)。公司擁有芯片生產線及與生產配套的可靠性實驗室、器件測試實驗室、失效分析實驗室等。
比亞迪	芯片制造	順利組裝成IG BT模塊，并成功在電動汽車臺架上進行了測試；可供貨1200V系列。電動汽車用大功率IGBT 模塊產業(yè)化項目列入國家新型電力電子器件產業(yè)化專項。
上海貝嶺	芯片制造	完成了1200V和600V IGBT的設計、試制和測試及評估工作。獲得2010年度發(fā)改委《1200V-1700V溝槽結構NPT型IGBT開發(fā)及產業(yè)化》項目800萬元資金支持。
長電先進封裝公司	IGBT 單管封裝	長電科技子公司、中外合資性質。
西安愛帕克	模塊	合資公司，外方提供IGBT芯片。2010年推出1700V 100A-300A 快恢復模塊，用于滿足輕軌，風電等需求。
威海星佳電子	模塊	公司IGBT 產品納入威海市十二五新型元器件發(fā)展規(guī)劃。
中國南車	芯片	年產12萬片IGBT芯片和100萬只大功率IGBT器件
嘉興斯達半導體	IGBT器件	年產能近300萬只

資料來源：智研咨詢整理

目前中國 IGBT 行業(yè)中高端技術已有突破，初步形成從芯片設計到芯片封裝的產業(yè)鏈，較強的成本優(yōu)勢將是中國本土企業(yè)與國外公司競爭的有力手段。伴隨著未來幾年 IGBT 市場的高速增長，國產化進程的啟動將會使產業(yè)鏈覆蓋的公司受惠。

我國IGBT行業(yè)發(fā)展至今，已取得較大進展，雖然仍需大量進口，但已有一部分企業(yè)具備規(guī)模化生產能力。2010年我國IGBT功率電器模塊產量為190萬只，2018年增長至1115萬只。

2010-2018年中國IGBT行業(yè)產量

資料來源：智研咨詢整理

智研咨詢發(fā)布的《2019-2025年中國IGBT行業(yè)市場深度監(jiān)測及投資機會研究報告》內容顯示，在新能源、節(jié)能環(huán)保“十二五”規(guī)劃等一系列國家政策措施的支持下，國內IGBT的發(fā)展獲得巨大的推動力，市場持續(xù)快速增長。“十三五“期間，國內IGBT國產化加速，IGBT需求迅猛發(fā)展，到2018年，國內IGBT市場規(guī)模達161.9億元。近幾年我國IGBT市場規(guī)模情況如下圖所示：

2010-2018年我國IGBT市場規(guī)模情況