一、砷化鎵行業(yè)市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)
預(yù)計(jì)2023年全球砷化鎵元件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到157億美元，5年CAGR為10%。根據(jù)數(shù)據(jù)，2018年全球砷化鎵元件市場(chǎng)總產(chǎn)值達(dá)到89億美元，較2017年增長(zhǎng)0.45%，2012-2018年CAGR為7%。預(yù)計(jì)到2023年，全球砷化鎵元件市場(chǎng)規(guī)模將達(dá)到143億美元，2019-2024年CAGR為10%，增速加快。
2012-2018年全球砷化鎵元件市場(chǎng)產(chǎn)值
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相關(guān)報(bào)告：智研咨詢發(fā)布的《2019-2025年中國(guó)砷化鎵行業(yè)市場(chǎng)現(xiàn)狀分析及投資前景預(yù)測(cè)報(bào)告》
2019-2023年全球砷化鎵元件市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)
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預(yù)計(jì)2023年國(guó)內(nèi)砷化鎵元件市場(chǎng)規(guī)模達(dá)到90億美元，5年CAGR為44%。2018年國(guó)內(nèi)砷化鎵元件市場(chǎng)總產(chǎn)值約14億美元，未來(lái)5G手機(jī)更新?lián)Q代，預(yù)計(jì)拉動(dòng)大量PA用量，國(guó)內(nèi)砷化鎵元件需求量將繼續(xù)保持高速增長(zhǎng)，2023年砷化鎵元件規(guī)模有望達(dá)90億美元，5年CARG為44%。
中國(guó)砷化鎵器件市場(chǎng)規(guī)模（單位：億美元）
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中國(guó)砷化鎵元件市場(chǎng)規(guī)模占比
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二、砷化鎵襯底材料市場(chǎng)規(guī)模預(yù)測(cè)
預(yù)計(jì)2023年全球砷化鎵襯底規(guī)模約10.5億美元，中國(guó)為3.5億美元。2018年全球/國(guó)內(nèi)為4.1/0.6億美元，預(yù)計(jì)2023年全球/國(guó)內(nèi)上升至10.5/3.5億美元，全球和國(guó)內(nèi)的5年CAGR分別為21%和45%。全球砷化鎵襯底市場(chǎng)結(jié)構(gòu)變化不大，國(guó)內(nèi)方面射頻芯片用襯底占比大幅上升。
全球砷化鎵襯底市場(chǎng)規(guī)模結(jié)構(gòu)
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中國(guó)砷化鎵襯底市場(chǎng)規(guī)模結(jié)構(gòu)
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三、砷化鎵行業(yè)競(jìng)爭(zhēng)格局
砷化鎵上游襯底到下游元件價(jià)值量逐級(jí)放大。數(shù)據(jù)顯示，2018年，全球砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈上襯底、外延片、晶圓代工、元件的市場(chǎng)規(guī)模分別為4.6億美元、11.0億美元、56.7億美元、88.7億美元。2018年數(shù)據(jù)顯示，砷化鎵上游襯底到下游元件，市場(chǎng)規(guī)模放大約18倍。
全球砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈的各環(huán)節(jié)市場(chǎng)規(guī)模（單位：億美元）
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砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)均處于寡頭壟斷的競(jìng)爭(zhēng)格局。砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈上，各環(huán)節(jié)的CR2都大于50%，單晶襯底、外延片和晶圓代工環(huán)節(jié)的CR3甚至接近90%，整個(gè)產(chǎn)業(yè)鏈呈現(xiàn)明顯的寡頭壟斷格局。
全球砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈各環(huán)節(jié)競(jìng)爭(zhēng)格局
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與國(guó)外相比，我國(guó)砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈競(jìng)爭(zhēng)格局仍處于弱勢(shì)?，F(xiàn)階段的現(xiàn)狀為：原材料開(kāi)采環(huán)節(jié)競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng)；單晶制造環(huán)節(jié)競(jìng)爭(zhēng)力一般；外延片中的射頻器件競(jìng)爭(zhēng)力較弱、光電器件有一定競(jìng)爭(zhēng)力；IDM中的射頻器件競(jìng)爭(zhēng)力缺失，主要集中在LED芯片的上下游垂直整合。
砷化鎵產(chǎn)業(yè)鏈國(guó)內(nèi)企業(yè)與國(guó)際企業(yè)對(duì)比分析
環(huán)節(jié) | 內(nèi)資企業(yè) | 外資企業(yè) |
原材料開(kāi)采 | 資源豐富、競(jìng)爭(zhēng)力較強(qiáng) | 較弱，相關(guān)礦產(chǎn)資源較少 |
單晶制造 | 較多企業(yè)布局、工藝成熟，但競(jìng)爭(zhēng)力一般。原因：工藝落后，生產(chǎn)晶片以2-4英寸為主。 | 外資企業(yè)直接在中國(guó)設(shè)廠，競(jìng)爭(zhēng)力強(qiáng) |
外延片 | 射頻器件競(jìng)爭(zhēng)力較弱，光電器件領(lǐng)域有一定競(jìng)爭(zhēng)力，LED市場(chǎng)占據(jù)了20%份額。 | GaAs產(chǎn)業(yè)鏈分工更加明顯，國(guó)際上領(lǐng)先企業(yè)具備先進(jìn)工藝，競(jìng)爭(zhēng)力較強(qiáng) |
IC設(shè)計(jì)、晶圓制造、封裝測(cè)試 | 射頻領(lǐng)域競(jìng)爭(zhēng)力缺失；國(guó)內(nèi)企業(yè)主要圍繞LED芯片做上下游的垂直整合 | 思佳訊、博通等公司每年向中國(guó)下游市場(chǎng)銷售大量的元件，競(jìng)爭(zhēng)力較強(qiáng) |
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智研咨詢 - 精品報(bào)告
2025-2031年中國(guó)砷化鎵行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展形勢(shì)及投資前景研判報(bào)告
《2025-2031年中國(guó)砷化鎵行業(yè)市場(chǎng)發(fā)展形勢(shì)及投資前景研判報(bào)告》共七章，包含中國(guó)砷化鎵應(yīng)用需求前景分析，中國(guó)砷化鎵重點(diǎn)企業(yè)案例分析，砷化鎵行業(yè)前景預(yù)測(cè)與投資建議等內(nèi)容。
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