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研判2025!中國動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈、發(fā)展現(xiàn)狀、競爭格局及發(fā)展趨勢分析:AI浪潮推升存儲需求,行業(yè)未來發(fā)展?jié)摿薮骩圖]

內(nèi)容概要:近年來,全球動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)市場規(guī)模呈現(xiàn)波動增長態(tài)勢。2019-2021年全球動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)市場規(guī)模從621.8億美元增長至949億美元;2022年-2023年受半導體進入下行周期影響,動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)市場規(guī)模呈現(xiàn)下降趨勢;2024年,全球AI浪潮推動存儲需求爆發(fā),疊加終端需求逐步回暖,晶圓代工產(chǎn)能利用率回升,使得存儲芯片市場加速復蘇,行業(yè)景氣度持續(xù)攀升,從而帶動動態(tài)隨機存取存儲器市場發(fā)展,估計2024年全球動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)市場規(guī)模同比上漲54.46%至780億美元。


相關上市企業(yè)兆易創(chuàng)新(603986)、佰維存儲(688525)、德明利(001309)、東芯股份(688110)、江波龍(301308)、芯原股份(688521)、復旦微電(688385)、恒爍股份(688416)、深科技(000021)、普冉股份(688766)、聚辰股份(688123)等。


相關企業(yè):長鑫存儲技術有限公司、深圳市埃芯半導體科技有限公司、深圳市嘉合勁威電子科技有限公司、上海江波龍數(shù)字技術有限公司、宏茂微電子(上海)有限公司、威剛科技(蘇州)有限公司、愛思開海力士半導體(重慶)有限公司、華邦電子股份有限公司、深圳市貝樂實業(yè)股份有限公司等。


關鍵詞:動態(tài)隨機存取存儲器、DRAM 、SRAM、AI浪潮


一、動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)相關概述


存儲芯片是指以半導體電路作為存儲媒介的存儲器,通常用于保存二進制數(shù)據(jù)的記憶設備,是現(xiàn)代數(shù)字系統(tǒng)的重要組成部分??煞譃橐资源鎯π酒〝嚯姾笠讈G失數(shù)據(jù))和非易失性存儲芯片(斷電后仍保存數(shù)據(jù))兩類。其中常見的易失性存儲芯片有 DRAM 和 SRAM;非易失性存儲芯片包括 Flash(閃存)、ROM(只讀存儲器)等。

存儲芯片分類


動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)是一種半導體存儲器,主要的作用原理是利用電容內(nèi)存儲電荷的多寡來代表一個二進制比特(bit)是1還是0。由于在現(xiàn)實中晶體管會有漏電電流的現(xiàn)象,導致電容上所存儲的電荷數(shù)量并不足以正確的判別數(shù)據(jù),而導致數(shù)據(jù)毀損。因此對于DRAM來說,周期性地充電是一個無可避免的要件。由于這種需要定時刷新的特性,因此被稱為“動態(tài)”存儲器。相對來說,靜態(tài)存儲器(SRAM)只要存入數(shù)據(jù)后,縱使不刷新也不會丟失記憶。與SRAM相比,DRAM的優(yōu)勢在于結構簡單——每一個比特的數(shù)據(jù)都只需一個電容跟一個晶體管來處理,相比之下在SRAM上一個比特通常需要六個晶體管。正因這緣故,DRAM擁有非常高的密度,單位體積的容量較高因此成本較低。但相反的,DRAM也有訪問速度較慢,耗電量較大的缺點。

DRAM與SRAM對比


二、動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈


從產(chǎn)業(yè)鏈來看,動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)上游是指原材料供應,主要包括半導體硅片、光刻膠、靶材、電子氣體等,這些原材料的質(zhì)量和供應穩(wěn)定性對動態(tài)隨機存取存儲器的生產(chǎn)質(zhì)量和成本具有重要影響。中游是指動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)的生產(chǎn)供應環(huán)節(jié)。下游是指行業(yè)的主要應用領域,包括消費電子、網(wǎng)絡通信、汽車電子、智能終端等。

動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)產(chǎn)業(yè)鏈


相關報告:智研咨詢發(fā)布的《中國動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)行業(yè)市場動態(tài)分析及發(fā)展趨向研判報告


三、動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)發(fā)展現(xiàn)狀


自2022年下半年起,受多重因素影響,全球經(jīng)濟增速放緩,半導體行業(yè)的需求格局發(fā)生了劇變。消費市場動力不足、產(chǎn)能擴張過快,半導體行業(yè)的供需狀況從“缺芯”轉向了“砍單”模式。但到了2024年,全球半導體市場迎來強勢復蘇。根據(jù)SIA數(shù)據(jù)顯示,2024 年第一季度全球半導體銷售總額為1377億美元,同比增長15.2%;到了2024年第四季度,全球半導體銷售額達到1709億美元,同比增長17.1%。這一增長表明,盡管面臨全球經(jīng)濟不確定性,半導體市場依然保持了強勁的增長勢頭。而動態(tài)隨機存取存儲器作為一種半導體存儲器,隨著半導體市場的恢復,其需求量將不斷增加。

2024年1-4季度全球半導體市場銷售額及增速


近年來,全球動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)市場規(guī)模呈現(xiàn)波動增長態(tài)勢。2019-2021年全球動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)市場規(guī)模從621.8億美元增長至949億美元;2022年-2023年受半導體進入下行周期影響,動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)市場規(guī)模呈現(xiàn)下降趨勢;2024年,全球AI浪潮推動存儲需求爆發(fā),疊加終端需求逐步回暖,晶圓代工產(chǎn)能利用率回升,使得存儲芯片市場加速復蘇,行業(yè)景氣度持續(xù)攀升,從而帶動動態(tài)隨機存取存儲器市場發(fā)展,估計2024年全球動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)市場規(guī)模同比上漲54.46%至780億美元。


進入2025年1月,DRAM價格急劇下滑,創(chuàng)下了兩年內(nèi)最大單月跌幅,這一趨勢主要受市場普遍供過于求,庫存積壓嚴重,對價格走勢造成了壓力。其中標志性產(chǎn)品DDR4 8GB的批發(fā)價格跌至約1.75美元,而4GB版本則約為1.34美元,兩者均較前月下降了6%,標志著連續(xù)五個月的價格下行。其中,8GB型號自2023年3月以來跌幅最大,4GB型號則是自2023年4月以來的最大跌幅。盡管當前市場環(huán)境嚴峻,但預計未來一段時間內(nèi)DRAM行業(yè)價格將觸底反彈。這一方面是因為供給端不斷縮減,全球三大DRAM制造商(韓國的三星、SK海力士,以及美國的美光)將積極調(diào)整生產(chǎn)策略,另一方面是因為市場需求的恢復,庫存問題將得到緩解。

2019-2024年全球動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)市場規(guī)模及增速


得益于智能手機、電腦等消費電子設備的持續(xù)發(fā)展,尤其是高性能智能手機和電腦的應用程序對內(nèi)存容量的要求日益提高?,我國DRAM需求快速增長。到目前我國已是全球最大的DRAM市場,需求占全球三分之一。據(jù)統(tǒng)計,2023年我國DRAM市場規(guī)模為2580.1億元,其中手機領域DRAM為997.2億元,市場占比達到39%,是我國DRAM行業(yè)主要應用領域。

2023年中國動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)市場規(guī)模占比


四、動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)競爭格局


?在動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)的競爭格局中,國際巨頭如三星、SK海力士和美光仍然占據(jù)主導地位,這些企業(yè)不僅在技術研發(fā)上保持領先,還在市場拓展和產(chǎn)能布局上積極行動,以鞏固和擴大市場份額。然而,中國本土企業(yè)如長鑫存儲技術有限公司、兆易創(chuàng)新科技集團股份有限公司、宏茂微電子(上海)有限公司、東芯半導體股份有限公司、深圳佰維存儲科技股份有限公司等也在積極擴展市場份額,通過技術創(chuàng)新和政策支持,逐步縮小與國際巨頭的差距?。

中國動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)相關企業(yè)


??兆易創(chuàng)新科技集團股份有限公司主要業(yè)務為存儲器、微控制器和傳感器的研發(fā)、技術支持和銷售。公司現(xiàn)有產(chǎn)品主要分為存儲器產(chǎn)品、微控制器產(chǎn)品以及傳感器產(chǎn)品。其中,公司存儲器產(chǎn)品包括閃存芯片(NOR Flash、NAND Flash)和動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)。在 DRAM 產(chǎn)品,公司積極切入DRAM 存儲器利基市場(消費、工控等),并已推出DDR4、DDR3L等產(chǎn)品,在消費電子(包括機頂盒、電視、智能家居等)、工業(yè)、網(wǎng)絡通信等領域取得較好的營收,并持續(xù)推進規(guī)劃中的其他自研產(chǎn)品。2024年上半年,公司存儲芯片實現(xiàn)營業(yè)收入26.05億元,同比上漲29.41%。

2020-2024年上半年兆易創(chuàng)新存儲芯片營業(yè)收入及增速


?長鑫存儲技術有限公司成立于2017年,是一家一體化存儲器制造公司,主要從事動態(tài)隨機存取存儲芯片(DRAM)的設計、研發(fā)、生產(chǎn)和銷售。經(jīng)過多年的發(fā)展,公司已在國內(nèi)外設有多個研發(fā)中心和分支機構,進一步鞏固了其行業(yè)地位。其技術團隊憑借深厚的研發(fā)背景和出色的創(chuàng)新能力,已推出多款DRAM商用產(chǎn)品,如LPDDR5 內(nèi)存芯片、DDR4 內(nèi)存芯片、LPDDR4X 內(nèi)存芯片等,廣泛應用于移動終端、電腦、服務器、虛擬現(xiàn)實和物聯(lián)網(wǎng)等領域。

長鑫存儲產(chǎn)品一覽


五、動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)發(fā)展趨勢


1、市場需求多元化與細分化


隨著數(shù)字化轉型的深入和新興應用場景的不斷涌現(xiàn),DRAM存儲器的市場需求將更加多元化和細分化。特別是在數(shù)據(jù)中心、人工智能(AI)、物聯(lián)網(wǎng)(IoT)等領域,DRAM存儲器的應用將更加廣泛和深入。這些領域對高性能、大容量存儲器的需求將持續(xù)增加,為DRAM行業(yè)帶來新的增長動力。


2、技術持續(xù)創(chuàng)新與升級


DRAM技術不斷演進,從DDR3到DDR4、DDR5,再到最新的DDR5X和LPDDR5X,性能不斷提升。制程工藝也在不斷優(yōu)化,例如三星電子已經(jīng)實現(xiàn)了1αnm制程的DRAM生產(chǎn)。未來,DRAM行業(yè)將繼續(xù)加大技術研發(fā)投入,提升產(chǎn)品性能和良品率,以滿足市場對高性能存儲器的需求。同時,新型材料和新技術的應用也將為DRAM市場帶來新的增長點。


3、國產(chǎn)替代加速


中國作為全球最大的電子產(chǎn)品生產(chǎn)基地之一,對存儲器的需求巨大。中國政府將繼續(xù)推動半導體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展,為存儲器企業(yè)提供良好的政策環(huán)境。中國本土DRAM企業(yè)的崛起將深刻影響全球DRAM市場的結構,國產(chǎn)替代率持續(xù)提升。這將有助于降低對海外DRAM產(chǎn)品的依賴,提高國內(nèi)產(chǎn)業(yè)鏈的穩(wěn)定性和安全性。


以上數(shù)據(jù)及信息可參考智研咨詢(www.rainbowgiftswholesale.com)發(fā)布的《中國動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)行業(yè)市場動態(tài)分析及發(fā)展趨向研判報告》。智研咨詢是中國領先產(chǎn)業(yè)咨詢機構,提供深度產(chǎn)業(yè)研究報告、商業(yè)計劃書、可行性研究報告及定制服務等一站式產(chǎn)業(yè)咨詢服務。您可以關注【智研咨詢】公眾號,每天及時掌握更多行業(yè)動態(tài)。

本文采編:CY397
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2025-2031年中國動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)行業(yè)市場動態(tài)分析及發(fā)展趨向研判報告
2025-2031年中國動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)行業(yè)市場動態(tài)分析及發(fā)展趨向研判報告

《2025-2031年中國動態(tài)隨機存取存儲器(DRAM)行業(yè)市場動態(tài)分析及發(fā)展趨向研判報告》共八章,包含中國動態(tài)隨機存取存儲器產(chǎn)業(yè)鏈結構及全產(chǎn)業(yè)鏈布局狀況研究,中國動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)重點企業(yè)布局案例研究,中國動態(tài)隨機存取存儲器行業(yè)市場及投資戰(zhàn)略規(guī)劃策略建議等內(nèi)容。

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